Muzejs pieņem ziedojumos veco datortehniku, lai noziedotu, sazinieties ar mums icq - 308-828-898

Pilnīga, vai daļēja, šīs lapas satura pārpublicēšana bez autora atļaujas - aizliegta!

Tranzistors П3В

Rakstīja: MaiklsBlack 4 июня, 2018

Paldies Jurijam (Yl2cp)

Izgatavots 1958.g.

==============================================================================================================

К сожалению, мировая слава первооткрывателя не всегда достается тем, кто действительно был первым. Это в полной мере можно отнести
к гениальному советскому физику Вадиму Евгеньевичу Лашкареву (1903-1974). Он должен был бы получить Нобелевскую премию по физике за
открытие транзистора. Изобретение транзистора, компактного, легкого и надежного, открыло перед миром новые возможности. Транзистор
позволил отказаться от капризных и громоздких электронных ламп, что позволило сделать электронную технику небольшой по размерам и более надежной.

Еще в 1941 г. В.Е. Лашкарев опубликовал статьи, в которых описал основные принципы работы транзистора. Вадим Евгеньевич раскрыл механизмы,
на основе которых и доныне действуют все транзисторы. Сделал он это значительно раньше, чем кто-либо в мире. Первые сообщения в американской
печати о появлении транзистора появилась в июле в 1948 г. — через 7 лет после статьи В.Е. Лашкарева. Однако слава не нашла своего героя.
Давала о себе знать милитаризованость страны. Все данные его исследования в СССР были засекречены. Это не давало возможности ученому заявить
о своих правах на патент и прославить нашу бывшую великую и единую страну (СССР). В 1956 г. американские ученые Джон Бардин, Вильям Шокли,
Уотер Браттейн были отмечены нобелевской премией за открытие транзистора.

http://www.icfcst.kiev.ua/MUSEUM/Lashkarev_r.html

Tranzistors П410A

Rakstīja: MaiklsBlack 16 января, 2012

Izgatavots 1974.g.

Paldies Igoram

Tranzistors П 403

Rakstīja: MaiklsBlack 4 июля, 2009

Izgatavots 1965.g.

Усилительные высокочастотные маломощные транзисторы П 403, это германиевые диффузионно-сплавные р-п-р типа. Предназначались для применения в усилительных и генераторных каскадах коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных схемах радиоэлектронных устройств. Выпускались транзисторы в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера на ободке корпуса маркируется цветной меткой.
Масса транзистора не более 2,2 г.

Tranzistors МП 26Б

Rakstīja: MaiklsBlack 4 июля, 2009

Izgatavots 1969.g.

Маломощные транзисторы МП 26Б , это германиевые биполярные низкочастотные p-n-p транзисторы. Предназначались для применения в усилителях, генераторах и переключающих схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами .
Масса транзистора не болев 2 г.

Tranzistors ГТ 905А

Rakstīja: MaiklsBlack 4 июля, 2009

Izgatavots 1969.g.

Транзистор ГТ 905А это p-n-p транзистор большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) и высокой частоты (fгр > 300 МГц). Применяется в переключающих и импульсных устройствах. Корпус металлический, герметичный, с жёсткими  выводами.
Масса транзистора не более 4,5 г.

Tranzistors КТ 983А

Rakstīja: MaiklsBlack 27 июня, 2009

Izgatavots 1991.g.

Tranzistors КТ 819 Г

Rakstīja: MaiklsBlack 27 июня, 2009

Izgatavots 1985.g.

Tranzistors КТ 818 Б

Rakstīja: MaiklsBlack 27 июня, 2009

Izgatavots 1982.g.

Tranzistors П 217 В

Rakstīja: MaiklsBlack 27 июня, 2009

Izgatavots 1980.g.

Tranzistors КТ 3107 Д

Rakstīja: MaiklsBlack 27 июня, 2009

Izgatavots 1986.g.